AI 算力拉动高带宽内存需求爆发，存储行业新一轮光刻军备竞赛已经开启，三星电子、SK 海力士正在大手笔抢订 ASML 的 EUV 光刻机，两家各自规划投入 10 万亿至 20 万亿韩元锁定 2027、2028 年交付配额，目的就是为自家先进 DRAM 扩产以及下一代 HBM 产能爬坡拿到入场券，ASML 已经提前预警，哪怕后续两年持续抬升 EUV 产出，供给依旧跟不上存储厂商的订单需求，设备交期拉长到原先两倍，越早锁定排期，越能在 1c、1d、0a 这些新一代 DRAM 制程上面抢占先机；SK 海力士早在今年 3 月就敲定一笔 11.95 万亿韩元的 EUV 采购，这批设备最晚 2027 年底交付，用来落地 1c DRAM，支撑 LPDDR6、SOCAMM2、HBM4E，三星则把设备订单和平泽 P4、P5 产线绑定，P4 新增 HBM4 单晶 DRAM 产线，P5 规划在 2028 年投产，并且计划率先把高数值孔径 High‑NA EUV 导入 DRAM 量产；这一轮争抢背后不只是单纯堆产能，先进 DRAM 微缩之后，单颗晶圆需要的 EUV 曝光层数持续上涨，从过去三层提升到五层以上，如果拿不到足够机台，就算建好洁净厂房，也没办法稳定产出高良率的 AI 内存，后续如果两家继续追加订单，存储资本开支还会往上抬，同时会进一步带动全球 DRAM、HBM 的供给节奏，改变存储价格周期走向；美光作为第三大 DRAM 厂商也在跟进扩产，但是在 EUV 获取节奏上明显慢于韩国双雄，短期很难撼动这两家在先进存储的优势地位。
一、三星、SK 海力士 EUV 与 DRAM 扩产基础信息简表
| 项目条目 | 信息 |
|---|---|
| 竞争主体 | 三星电子、SK 海力士 |
| 投资区间 | 单家 10 万亿～20 万亿韩元 |
| 核心标的 | ASML EUV，含后续 High‑NA EUV |
| 目标制程 | 1c、1d、0a 先进 DRAM |
| 配套产品 | DDR5、LPDDR6、SOCAMM、HBM4 / HBM4E |
| SK 海力士既定订单 | 11.95 万亿韩元，2027‑12‑31 前交付 |
| 三星重点厂区 | 平泽 P4（HBM4）、平泽 P5（预计 2028 投产） |
| ASML 供给现状 | 2026 出货约 65 台，交期翻倍，2027、2028 依旧存在缺口 |
| 后续前沿路线 | High‑NA EUV，目标用于 0a DRAM |
二、为什么现在爆发这场 EUV 产能争夺
- AI 拉动 HBM 需求暴涨：大模型、AI Agent 需要海量高带宽内存，HBM 全部依托先进 DRAM 晶粒制造，直接拉高对 EUV 的刚需。
- 先进制程层数变多：进入 1c DRAM 之后，EUV 曝光层数大幅增加，同一条产线需要部署更多光刻机才能达到目标产能。
- EUV 供给刚性很强：ASML 产能扩张速度有限，机器交付周期被拉长，晚下单就要等更久，错过扩产窗口。
- 存储周期上行窗口：DRAM 价格回暖，厂商愿意加大资本开支，抢先卡位，锁定未来几年客户订单。
- 下一代 High‑NA EUV 提前布局：想要推进到 0a DRAM，必须提前锁定高数值孔径机型，提前磨合工艺。
三、两家厂商各自扩产路线
- SK 海力士路线
- 三星电子路线
以龙仁 Y1、利川 M16 工厂为载体，目标在 2027 年完成大额 EUV 交付，主力落地 1c DRAM，优先供给 HBM4E、LPDDR6；同时引入 High‑NA EUV 用于工艺研发，准备往 1d、0a 迭代。
平泽 P4 改造新增 HBM4 单晶 DRAM 产线；新建 P5 晶圆厂，洁净室预计 2027 年上半年就绪，设备分批进场，计划在 2028 年把 High‑NA EUV 用于 DRAM 量产，持续巩固 HBM 龙头位置。
四、先进 DRAM 往前推进的关键节点
- 2027 年：大批量 1c DRAM 稳定量产，同时启动 1d DRAM 试产，大量新增 EUV 机台进场装机。
- 2028 年：0a DRAM 小规模试产，High‑NA EUV 在存储产线正式导入。
- 中长期：依托新一代光刻，持续提升单颗 DRAM 密度，降低单位比特成本，支撑下一代 HBM5 开发。
五、本次光刻大战带来的产业连锁影响
- 上游设备与零部件受益：存储客户已经占到 ASML Q3 整机销售接近一半，订单火热会拉动光源、光学、真空、配套光刻耗材需求。
- 存储供给节奏被改写：如果扩产顺利，2027 下半年之后先进 DRAM、HBM 供给会明显增加，缓和现在紧缺局面；但如果机台延期交付，紧缺周期拉长。
- 拉高行业门槛：先进 DRAM 越来越依赖 EUV，资金门槛、设备获取门槛持续抬升，中小存储厂商很难跟进。
- 加剧和第三巨头美光的差距：美光同样规划先进 DRAM，但可拿到的 EUV 数量有限，追赶节奏更慢。
六、跟踪这场存储光刻竞赛参考步骤
第一步，持续关注 ASML 财报和客户交付指引，看 EUV 的排期、涨价、出货节奏；第二步，分开跟踪三星平泽 P5、SK 海力士龙仁 Y1 的洁净室和设备进场进度；第三步，留意两家 1c DRAM、HBM4E 的良率与客户送样情况，良率决定产能能不能真正释放；第四步，跟踪 DRAM、HBM 的现货报价，如果供给快速释放，存储涨价行情会放缓；第五步，留意 High‑NA EUV 的导入时间表，它决定 DRAM 微缩还能走多远。
整体来看，这场光刻大战本质就是 AI 存储红利之下，两大韩国厂商用重金锁定最稀缺的生产工具；能不能抢到足够 EUV，直接决定未来几年 HBM 和先进 DRAM 的市场份额，短期设备供给紧张会持续约束产能释放，中长期这批集中下单的机器落地之后，全球存储市场格局会迎来新一轮调整。
【相关 FAQ】
问题 1：光刻大战开打！三星海力士重金夺 EUV 产能，两家这次争夺设备主要用来做什么？
回答 1：光刻大战开打！三星海力士重金夺 EUV 产能，这批光刻机主要用来落地 1c、1d、0a 先进 DRAM，支撑 DDR5、LPDDR6，以及 HBM4、HBM4E 等高带宽内存扩产。
问题 2：光刻大战开打！三星海力士重金夺 EUV 产能，SK 海力士已经敲定的 EUV 采购规模是多少？
回答 2：光刻大战开打！三星海力士重金夺 EUV 产能，SK 海力士已经披露 11.95 万亿韩元的 EUV 采购计划，这批设备要求在 2027 年 12 月 31 日前完成交付。
问题 3：光刻大战开打！三星海力士重金夺 EUV 产能，ASML 的 EUV 供给现在是什么状态？
回答 3：光刻大战开打！三星海力士重金夺 EUV 产能，ASML 明确就算 2027、2028 持续提升产能，EUV 依旧供不应求，设备交付周期已经拉长至原来两倍。
问题 4：光刻大战开打！三星海力士重金夺 EUV 产能，High‑NA EUV 在这场 DRAM 扩产里面扮演什么角色？
回答 4：光刻大战开打！三星海力士重金夺 EUV 产能，High‑NA EUV 属于下一代光刻设备，目标用于更先进的 0a DRAM，三星计划在 2028 年率先把它导入 DRAM 量产。
【参考资料】
[2026-11-10]（光刻大战开打！三星海力士重金夺 EUV 产能 加码先进 DRAM 扩产）凤凰网
[2026-11-10]（存储双雄争夺 EUV 光刻机，支撑先进 DRAM 扩产）财联社
[2026-11-10]（三星、SK 海力士争抢 EUV 交付配额）集微网
[2026-11-09]（砸下超 10 万亿韩元，三星 SK 海力士采购 EUV）ZAKER
[2026-09-08]（三星与 ASML 扩大合作，推进 High‑NA EUV 用于 DRAM）ASML 官网
【免责声明】
以上内容整理自韩媒、设备厂商公告以及半导体行业公开资讯，三星、SK 海力士的 EUV 实际到货时间、先进 DRAM 良率、HBM 量产进度会受 ASML 交付、工艺爬坡、资本开支调整等因素影响；本文仅作为半导体存储产业资讯梳理，不构成存储芯片、半导体设备采购、产业项目立项以及二级市场投资建议；所有设备订单、投产计划以三星、SK 海力士、ASML 的官方正式公告为准。
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评论列表（4条）
我是新品牌网的签约作者“安静麦芽”！
希望本篇文章《光刻大战正式打响，三星与 SK 海力士重金争抢稀缺 EUV 产能，加速先进 DRAM、HBM 扩产布局》能对你有所帮助！
本站[新品牌网]内容主要涵盖：互联网行业的追踪与探索
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