清溢光电拟投不超 15 亿元建三期28—14 纳米高端掩膜版扩产落地佛山

我先联网检索清溢光电拟投不超 15 亿元建三期、覆盖 28 至 14 纳米掩膜版的最新公告信息。

我精读深交所公告原文，核对三期项目投资额、建设周期、资金来源和前期一、二期进展。

2026 年 11 月 9 日晚间，清溢光电（688138.SH）公告，控股子公司佛山清溢微电子有限公司拟在现有高端半导体掩膜版生产基地一、二期基础上，投资建设 "高端半导体掩膜版生产基地建设项目三期"，计划总投资额不超过人民币 15 亿元，主要产品为覆盖 28nm—14nm 制程的高端半导体掩膜版。项目选址佛山市南海区丹灶镇丹凤路 6 号，在现有厂房基础上改造并引入新设备、扩建生产线，建设期 36 个月，预计 2026 年 12 月开工；资金来源为佛山清溢微自有或自筹资金，不涉及募集资金。该项目已经公司董事会战略委员会和董事会审议通过，无需提交股东会，但尚需履行项目备案、环境影响评价等行政审批手续。按公告表述，三期建设完成后将提高公司高端掩膜版技术能力与产能、优化产品结构并提升市场占有率；项目投资额为预估数，实际以建设投资为准，存在审批、资金筹措、产能利用和收益不达预期等风险。

一、项目核心要素

项目要素	公告内容
项目名称	高端半导体掩膜版生产基地建设项目三期
实施主体	控股子公司佛山清溢微电子有限公司（更名前为广州清溢微电子有限公司）
建设地点	佛山市南海区丹灶镇丹凤路 6 号
投资金额	不超过人民币 15 亿元（150,000 万元），含设备采购费、装修费等，最终以实际投资为准
主要产品	覆盖 28nm—14nm 制程的高端半导体掩膜版
建设方式	在一、二期现有厂房基础上改造，引入新设备、扩建生产线
建设期	36 个月
预计开工	2026 年 12 月
资金来源	佛山清溢微自有资金及自筹资金，现金出资，不涉及募集资金
审批状态	已经董事会战略委员会、董事会审议通过；尚需项目备案、环评等行政审批
关联交易 / 重组	不属于关联交易，不构成重大资产重组

二、佛山基地一、二、三期背景

2023 年 8 月，清溢光电公告拟在佛山市南海区投资 35 亿元建设佛山生产基地项目，其中 "高端半导体掩膜版生产基地建设项目" 分三期建设，合计拟投资 15 亿元。

期次	原拟投资额	当前进展
一期	6.05 亿元	已顺利投产
二期	2.95 亿元	稳步推进中
三期	原拟 6 亿元，本次公告调整为不超过 15 亿元	待备案、环评审批，预计 2026 年 12 月开工

说明：三期投资规模较 2023 年规划的 6 亿元上限有所上调，公告称最终投资总额以项目建设实际投资为准；投资额属于预估数，公司将审慎投资、逐步拓展。

三、产品定位与市场可行性

1. 产品定位

面向国内先进制程晶圆制造环节的高端半导体掩膜版本土化配套产能。
聚焦 28nm—14nm 节点掩膜版产品供给，承接国内晶圆厂扩产及制程升级带来的增量需求。
依托本土交付、快速技术协同和稳定保供优势，服务国内芯片设计与制造产业链。

2. 需求侧逻辑

AI 算力、高性能计算和高端终端需求持续拉动，国内晶圆制造制程向更先进方向发展，对应掩膜版需求增长。
当前国内先进制程掩膜版国产化率偏低，供给较多依赖境外厂商，在交付周期、价格和合规保供上存在供应链风险，项目契合国产替代长期趋势。

3. 公司技术基础

已实现 55nm 掩膜版制程节点技术突破，积累了掩膜版核心工艺、材料、检测等技术经验。
据 2026 年 9 月自愿披露公告，公司 55nm PSM（相移掩膜版）产品已与客户签署保密协议、确认产品规格书，收到客户采购订单并已交货，进入客户上线认证阶段。
现有研发、工艺和生产人才团队可复用，技术路线向 28nm—14nm 节点迭代具备连贯性；后续仍需通过关键工艺攻关、设备配置和客户验证降低落地风险。

四、项目对公司的影响

产能层面：补齐高端半导体掩膜版产能缺口，增加先进节点产品供给能力。
产品结构：从成熟节点向 28nm—14nm 高端节点延伸，优化半导体掩膜版产品结构。
技术与工艺：提升工艺水平和技术能力，巩固国产替代核心竞争力。
市场份额：依托本土配套优势，争取在国内先进制程掩膜版市场提升占有率。
战略层面：落地公司高端制造、国产替代核心发展战略，服务国内芯片产业链自主可控。

五、需要关注的风险

审批风险：项目尚未完成项目备案、环境影响评价等审批；若政策调整或审批条件变化，项目可能顺延、变更、中止甚至终止。
资金风险：资金来自子公司自有或自筹资金，预计投入较大，资金筹措、支付方式和支付安排存在不确定性。
市场与产能风险：项目基于当前经济形势和行业前景判断，建设周期较长，面临行业政策变化、市场变化和项目管理等不确定因素，可能出现产能过剩或收益不达预期。
投资金额不确定：公告中的投资金额为预估数，实际投资金额可能随建设情况调整。
技术验证风险：28nm—14nm 掩膜版仍需经过关键工艺攻关、设备导入和客户验证，量产时间与良率表现存在不确定性。

六、掩膜版在芯片制造中的位置（便于理解项目意义）

掩膜版（光掩膜版）相当于芯片制造的 "底片"，光刻工序通过掩膜版把电路图形转移到晶圆上。
制程越先进，图形线宽越细，对掩膜版的精度、缺陷控制和材料工艺要求越高。
28nm—14nm 属于先进制程区间，掩膜版是晶圆厂扩产和制程升级中需要配套的关键材料之一，国产替代空间和技术门槛都较高。

整体来看，清溢光电这次 15 亿元三期扩产，是在一、二期产能基础上向更先进的 28nm—14nm 节点延伸，方向对标国产替代和本土配套需求。项目能否按 36 个月建设期落地、能否通过客户验证并形成稳定量产，还取决于审批进度、资金安排、工艺攻关和下游晶圆厂需求节奏，后续进展需以公司正式公告为准。

【相关 FAQ】

问题 1：清溢光电三期项目计划投资多少，主要做什么产品？

回答 1：清溢光电控股子公司佛山清溢微拟投建高端半导体掩膜版生产基地建设项目三期，计划总投资额不超过人民币 15 亿元，主要产品为覆盖 28nm—14nm 制程的高端半导体掩膜版。项目在现有一、二期厂房基础上改造扩建，资金为子公司自有或自筹资金，不涉及募集资金。

问题 2：清溢光电三期掩膜版项目建在哪里，什么时候开工、建设期多久？

回答 1：三期项目建设地点位于佛山市南海区丹灶镇丹凤路 6 号，建设期 36 个月，预计 2026 年 12 月开工。项目已经公司董事会审议通过，无需提交股东会，但尚需完成项目备案、环境影响评价等行政审批手续。

问题 3：清溢光电佛山掩膜版基地一、二期目前进展如何？

回答 1：清溢光电 2023 年 8 月公告在佛山南海区建设生产基地，高端半导体掩膜版项目分三期推进。其中一期已顺利投产，二期正稳步推进中，三期在此基础上扩建。原规划一期投资 6.05 亿元、二期 2.95 亿元、三期拟 6 亿元，本次三期调整为不超过 15 亿元，最终以实际投资为准。

问题 4：清溢光电做 28nm—14nm 掩膜版有哪些技术基础？

回答 1：公司已实现 55nm 掩膜版制程节点技术突破，积累了核心工艺、材料和检测经验；55nm PSM 相移掩膜版已签署保密协议、确认规格书、收到采购订单并交货，进入客户上线认证阶段。现有研发、工艺和人才团队可复用，技术路线向 28nm—14nm 迭代具备连贯性，但先进节点仍需后续工艺攻关、设备配置和客户验证。

问题 5：清溢光电三期项目存在哪些主要风险？

回答 1：主要风险包括：备案、环评等审批尚未完成，项目可能顺延、变更或终止；大额资金依赖自有及自筹，筹措存在不确定性；建设周期内行业政策和市场需求可能变化，存在产能过剩、收益不达预期风险；投资金额为预估数，实际可能调整；28nm—14nm 产品仍需通过工艺攻关和客户验证，量产进度存在不确定性。

【参考资料】

[2026-11-10]（深圳清溢光电股份有限公司关于控股子公司投资建设项目的公告）巨潮资讯网（深交所披露 PDF）
[2026-11-10]（688138 宣布，扩产 "芯片底片"!）证券时报
[2026-11-10]（清溢光电：关于控股子公司投资建设项目的公告）东方财富网
[2026-11-10]（清溢光电公告：佛山基地三期投资背景与一、二期进展）新浪财经
[2026-11-09]（15 亿元！清溢光电拟加码高端半导体掩膜版三期项目）财联社
[2026-11-09]（清溢光电加码 15 亿元，投建先进制程掩膜版三期）证券之星
[2026-11-09]（清溢光电加码 15 亿元，投建先进制程掩膜版三期）东方财富网
[2026-09-29]（深圳清溢光电股份有限公司关于高端半导体掩膜版研发进展的自愿性披露公告）上海证券交易所

【免责声明】

本文内容基于上市公司公告、交易所披露文件及公开媒体报道整理，仅用于清溢光电三期掩膜版项目的信息梳理和科普，不构成任何证券投资建议、估值判断或买卖要约。文中投资金额、建设期、开工时间、产品节点和进展表述均来自公司公告，部分为预估数或规划安排，项目审批、资金筹措、建设进度、产能释放和客户验证存在不确定性；先进制程掩膜版的技术与市场表现受行业周期、下游需求、政策变化等多重因素影响。请以上市公司后续正式公告为准，投资有风险，决策需谨慎。资料观点归原作者及原发布机构所有，如信息存在更新或版权问题，请联系更正。

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